MMDL101T1G
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TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1. Reverse Leakage
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 2. Forward Voltage
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Noise Figure
PLO, LOCAL OSCILLATOR POWER (mW)
C, CAPACITANCE (pF)
NF, NOISE FIGURE (dB) , FORWARD CURRENT (mA)
I
F
, REVERSE LEAKAGE ( A)
I
R
1
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
0.6
0 1.0 2.0 3.0 4.0
1.0
0.9
0.8
0.7
0.1
0.3 0.4 0.5 0.6
100
10
1.0
0.7 0.8
0.0130 40 50 60 70 80 10090
1.0
130
110 120
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
Figure 5. Noise Figure Test Circuit
LOCAL
OSCILLATOR
UHF
NOISE SOURCE
H.P. 349A
NOISE
FIGURE METER
H.P. 342A
DIODE IN
TUNED
MOUNT
IF AMPLIFIER
NF = 1.5 dB
f = 30 MHz
VR
= 3.0 Vdc
LOCAL OSCILLATOR FREQUENCY = 1.0 GHz
(Test Circuit Figure 5)
TA
= -
°C
TA
= 85
°C
TA
= 25
°C
2. CC
and C
T
are measured using a capacitance bridge
(Boonton Electronics Model 75A or equivalent).
3. Noise figure measured with diode under test in tuned diode
mount using UHF noise source and local oscillator (LO)
frequency of 1.0 GHz. The LO power is adjusted for
1.0 mW. IF amplifier NF = 1.5 dB, f = 30 MHz, see Figure 5.
NOTES ON TESTING AND SPECIFICATIONS
MMBD110T1
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